RG-3-8硒化爐主要技術(shù)參數(shù)：

1、額定功率：3 Kw±10%

2、額定溫度：A區(qū)230 ℃、B區(qū)800 ℃

3、冷態(tài)極限真空度：6.67×10-3 Pa(在100℃溫度以下允許抽真空)

4、壓升率：2.0 Pa/h

5、工作區(qū)尺寸：Φ100×600 mm（直徑×長(zhǎng)）

6、控溫區(qū)數(shù)：3區(qū)

7、保護(hù)氣氛：氬氣

9、充氣壓力：≤500 Pa

10、電源：三相  380V  50Hz

RG-3-8硒化爐

詳細(xì)描述：

此設(shè)備主要用于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池的硒化反應(yīng)處理。

CIGS薄膜太陽(yáng)能電池首先用磁控濺射制備出銅銦鎵(CIG)薄膜預(yù)制層，然后在此設(shè)備中用固態(tài)硒源實(shí)現(xiàn)硒化處理，從而反應(yīng)生成CIGS薄膜太陽(yáng)能吸收層。

設(shè)備特點(diǎn)：

1、過(guò)濾器采用德國(guó)萊寶公司結(jié)構(gòu)制作，吸附力強(qiáng)，便于取出清理和更換濾芯。

2、我公司采用國(guó)內(nèi)的氦質(zhì)譜真空檢漏儀進(jìn)行壓升率檢測(cè)，可保證技術(shù)指標(biāo)的可信和準(zhǔn)確，壓升率指標(biāo)接近或低于國(guó)標(biāo)的小值。

ZG-450D多晶硅鑄錠爐

技術(shù)參數(shù)：

1.額定功率：200KW  

2.常用溫度：1500℃，高溫度：1600℃

3.冷態(tài)極限真空度：＜1Pa 

4.坩堝尺寸：870×870×420（L×W×H）mm

5、大鑄錠重量:450Kg

6.移動(dòng)隔熱屏大位移量：380（mm）

7.移動(dòng)隔熱屏提升速度：5～100mm/h(可調(diào))

詳細(xì)描述：

設(shè)備用途：本設(shè)備采用電阻加熱方式，底部進(jìn)出料結(jié)構(gòu)。一次裝入多達(dá)450Kg/500kg（視坩堝尺寸而定）多晶硅原料，用于多晶硅料的鑄錠。

設(shè)備特點(diǎn)：

1、爐底設(shè)有防漏硅裝置及防爆裝置；

2、溫度梯度好，拉出硅棒效果好，雜質(zhì)少；

3、爐底升降采用機(jī)械傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，定向結(jié)晶通過(guò)爐內(nèi)升降機(jī)構(gòu)，伺服機(jī)構(gòu)保溫罩升降平穩(wěn)，操作方便；

4、一種帶可升降式保溫罩的多晶硅鑄錠爐；一種帶水冷式雙電極和軟電纜的多晶硅爐；